Phân loại sản phẩm
Thiết bị khắc plasma Semi-ICP-200
Hệ thống nguồn ICP có cấu trúc đơn giản và dễ điều chỉnhj88vip1, có thể kiểm soát mật độ điện tử và năng lượng ion thông qua việc áp dụng điện áp vào bàn đệm. Cụ thể, cuộn dây tần số cao tạo ra plasma, trong khi điện áp bàn đệm điều khiển dòng năng lượng và hướng của các ion va chạm lên bề mặt. Hệ thống ICP hoạt động mà không cần điện cực, do đó không gây ô nhiễm do điện cực.
- Mô tả sản phẩm
-
Hệ thống nguồn ICP có cấu trúc đơn giản và dễ điều chỉnhbd so, có thể kiểm soát mật độ điện tử và năng lượng ion thông qua việc áp dụng điện áp vào bàn đệm. Cụ thể, cuộn dây tần số cao tạo ra plasma, trong khi điện áp bàn đệm điều khiển dòng năng lượng và hướng của các ion va chạm lên bề mặt. Hệ thống ICP hoạt động mà không cần điện cực, do đó không gây ô nhiễm do điện cực.
Loại thiết bị này được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực sản xuất bán dẫnj88vip1, hệ thống vi cơ điện tử, linh kiện quang điện, màn hình phẳng, nghiên cứu công nghệ nano, và lĩnh vực viễn thông.Dịch vụ kỹ thuật
1) Bảo trìbd so, bảo dưỡng, tân trang, nâng cấp máy khắc plasma nhập khẩu và sản xuất trong nước;
2) Nhận thiết kế và chế tạo máy khắc plasma theo yêu cầu không tiêu chuẩn;
3) Nhận nghiên cứu phát triển quy trình khắc theo.
Cấu thành thiết bị
Máy khắc Semi-ICP-200 bao gồm buồng chân khôngj88vip1, anten tần số cao, nguồn ICP, nguồn điện áp, bộ máy bơm chân không, đơn vị đường dẫn khí, giá mẫu, hệ thống kiểm soát nhiệt độ, máy làm lạnh, hệ thống điều khiển, và các phụ kiện đi kèm.
Cấu hình chính
Kích thước buồng chân không: φ300mmX250mm;
Độ chân không tối đa tốt hơn: 5X10-5Pa;
Chân không làm việc: 8X10-4Pa (khoảng 40 phút);
Đường kính khắc hiệu quả: φ200mm (8 inch);
Nguồn tần số chính: tần số 13j88vip1,56MHz, công suất 3000w;
Nguồn điện áp lệch: tần số 13kết quả bóng đá việt nam hôm nay,56MHz, công suất 500w;
Khí làm việc: được cấu hình theo yêu cầu quy trình.
Từ khóa:
Nhận báo giá
Sản phẩm liên quan