Đặc điểm chức năng

Dự án này đã hoàn thành việc nghiên cứu và chế tạo toàn bộ hệ thống MBE trong nước vào năm 2005j88vip1, đạt được khả năng kiểm soát độc lập. Công ty tự thiết kế buồng sinh trưởng tinh thể chân không cực cao, hệ thống điều khiển quy trình và phần mềm, thiết bị theo dõi thời gian thực RHEED, ống điện tử kiểu thẳng, lò nguồn hạt, nguồn điện cho lò nguồn, giá mẫu nhiệt độ cao, máy đo độ dày màng (có thể đếm số lớp phân tử) và các linh kiện cốt lõi khác.
Thiết bị này có thể thực hiện sinh trưởng tinh thể cho thế hệ thứ hai (như gallium arsenide) và thế hệ thứ ba (như silicon carbide và gallium nitride). Sau hơn mười năm nghiên cứu kỹ lưỡngj88vip1, thiết kế thiết bị liên tục được cải tiến, và hiện tại đã có khả năng thiết kế và chế tạo máy MBE sản xuất. Thiết bị có cấu hình hợp lý, kết cấu đơn giản, công nghệ tiên tiến, hiệu năng ổn định, đa dạng ứng dụng và tính thực tiễn cao, mang lại tỷ lệ hiệu quả - giá cả tốt.

Thành phần thiết bị và chỉ tiêu kỹ thuật chính
Thành phần của thiết bị
Phòng nạp mẫu
Phòng này được sử dụng để đưa vào và lấy ra mẫucá cược bóng đá, đồng thời được trang bị chức năng lưu trữ nhiều mẫu. Kho mẫu có thể chứa sáu tấm nền.
Phòng xử lý tiền
Phòng này được sử dụng để làm sạch mẫu bằng phương pháp plasma chân không và xử lý nhiệt độ cao trước khi đưa vào buồng sinh trưởng tinh thểj88vip1, cùng với các bước xử lý ban đầu khác. Ngoài ra, nó còn được dùng để xử lý sau sinh trưởng tinh thể, ví dụ như nung ở nhiệt độ cao.
Phòng ngoại vi
Phòng chân không siêu cao sạch sẽcá cược bóng đá, thực hiện quy trình công nghệ MBE.

Chỉ tiêu kỹ thuật chính của thiết bị sinh trưởng màng mỏng MBE (MBE) (MBE Molecular Beam Epitaxy)
Phòng nạp mẫu
Chân không giới hạn: 5.0×10 ^-5 Pa
Số lượng mẫu tải: 6 miếng (φ2 inch đến φ4 inchj88vip1, kèm theo khay mẫu)
Phòng xử lý tiền
Chân không giới hạn: 5×10 ^-7 Pa
Nhiệt độ gia nhiệt bàn mẫu: Từ nhiệt độ phòng đến 850°C ±1°C (kiểm soát PID)
Nguồn rửa ion: Φ60; 100 đến 500eV
Phòng ngoại vi